IGBT
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载查看详情>流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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安全垫上“蹦迪”，IGBT造就全新时代电气？
中车时代电气从4月低点开始，股价已经在近期迎来了一波50％＋的反弹，反弹力度大幅超过同期的IGBT指数（30％）和恒生指数（10％）涨幅。为什么时代电气会在23．85港元的位置会迎来支撑反弹，这是公司
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超级结MOSFET与IGBT的电动汽车充电方案
插电式混合动力／电动汽车（xEV）包含一个高压电池子系统，可采用内置的车载充电器（OBC）或外部的充电桩进行充电。充电（应用）要求在高温环境下具有高电压、高电流和高性能，开发高能效、高性能、具丰富保护功能的充电桩对于实现以尽可能短的充电时间续航更远的里程至关重要
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