模拟电路设计系列：中高压三极管BJT基本介绍
一：中高压三极管BJT结构
结构简单
只有几层layer，进入门槛很低，成本也就相对比较低。
2. 比较厚的漂移区（n-）
1）可以设计很高的反向击穿电压（很高的Vcbo）；
2）如果工作在准饱和区，导通损耗就比较大；
3）较慢的动态响应（较大的开关损耗）；
4）参数对温度很敏感；
5）驱动设计比较复杂;
6）二次击穿效应;
二：主要参数
1）Vceo：B极（基极）开路的时候，C极（集电极）与E极（发射极）之间的最高耐压；
2）Vces：B极与E极之间短路时，C极与E极之间的最高耐压；
3）Vcev：B极与E极之间加反向电压时，C极与E极之间的最高耐压；
4）Vcbo：当E极开路时，C极与B 极之间的最高耐压；
5）Vebo：当C极电流为0时，E极与B极之间的最高耐压；
6）Icn（典型集电极电流）：连续流过三极管的电流；
7）Icmax:流过三极管的最大电流，一般是Icn的1.5~2倍。
三：开关过程
1）Turn-On 过程
a) Ib越大，转换过程越快，开通损耗也就越小
b)Qb: Active mode; Qc: Quasi-Saturation; Qd: Hard-Saturation
2) On-State 状态
a) 运行状态下的Ic通常是Icn的0.3~0.7倍；
b) 基极驱动电流Ib一定要保证三极管工作在正确的saturation状态，确保三极管损耗相对优化，通常来讲，Ic/10<Ib<Ic/5
Overdrive: 驱动电流过大（βIb>Ic），有过多的电荷存储效应
Underdrive: 驱动电流不足
3）Turn off 过程
a) 快速的dIb/dt，可以缩短Vce达到关断稳态电压时的时间；
b) 快速的dIb/dt，如果控制不当，也会导致较长的Ic拖尾现象，反而会增加关断损耗。
关断过程对温度是最敏感的，这也是BJT高温失效的最主要原因。
关断过程分为三段：
第一段：Ic从100%降到85%左右，电压开始以比较低的速率（dv/dt）开始增加；
第二段：Ic迅速的降到15%左右，Vce到达最大值；
第三段：Ic进一步降低直至为0，这一时间Vce一直保持不变，为最大值。
设计驱动电流Ib时，需要根据不同BJT的规格，结合Ib，Ic以及Vce的波形进行最优化设计。
4）off 状态
a) 如果关断时BJT上的电压<Vceo，此时Vbe一定要≤0；
b) 如果关断时BJT上的电压是Vceo<V<Vces，那Vbe最好要≤-1.5V，一般来讲，建议区间为-3V到-7V之间。
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